Аннотация:
Представлено теоретическое описание электронных
свойств дефектов типа $A$-центров. Такие дефекты
представляют собой вакансию в Si, две связи
которой замкнуты друг на друга, а две другие —
примесным атомом (Cu, Ni, Ag, Pd, Au и Pt). Анализ
основан на исследовании электронных состояний связи
между атомами Si, ослабленной по сравнению с нормальными
связями в кристаллическом Si. Именно эти состояния
ответственны за электронные свойства дефектов типа
$A$-центров в $n$-Si. Рассмотрение проведено в рамках
двухузельного гамильтониана Андерсона с учетом деформации
структуры дефекта. С использованием экспериментальных
данных определены параметры, характеризующие $A$-центр
[величина хаббардовского взаимодействия, интеграл переноса
и энергия (на 1 электрон) деформации структуры дефекта].