Пространственный перенос электронов в полевых транзисторах на гетероструктурах с селективным легированием

Исследовано влияние пространственного переноса электронов между слоями гетероструктуры с селективным легированием из GaAs/Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As на статические вольтамперные и СВЧ характеристики полевых транзисторов на основе этих структур. Состояния электронов в узкозонном полупроводнике описаны в приближении треугольной потенциальной ямы, а разогрев электронов учитывается с помощью системы гидродинамических уравнений, решаемых совместно с уравнением Пуассона. Показано, что роль пространственного переноса растет с увеличением тока, протекающего в канале, т. е. с уменьшением отрицательного напряжения на затворе.