Удельные сдвиги носителей заряда и фотопроводимость аморфного гидрированного кремния

Исследованы $(\mu \tau)^{(n)}$ и $(\mu\tau)^{(p)}$ $a$-Si : H в зависимости от плотности состояний на уровне Ферми и его положения в щели подвижности. Определено соотношение между $(\mu\tau)^{(n)}$ и $(\mu\tau)^{(p)}$, полученными по времяпролетной методике и из фотопроводимости. Определено максимальное значение $(\mu\tau)^{(p)} \simeq5\cdot10^{-9}$ см$^{2}$/В при условии, что уровень Ферми лежит в середине щели подвижности (\glqqсобственный» $a$-Si : H). Перемещение уровня Ферми в это положение достигается без легирования бором, а за счет вариаций условий осаждения слоев $a$-Si : H в триодной системе ВЧ разложения силаносодержащей смеси (эффект псевдолегирования). Достигнутая величина $(\mu\tau)^{(p)}$ обеспечивает величины диффузионной и дрейфовой длин дырок, необходимые для создания приборов (фотоэлектрических преобразователей энергии и видиконов).