Фотолюминесцентные свойства GaAs, легированного рением

Показано, что получение GaAs методом жидкофазнои эпитаксии в условиях введения малых количеств рения в жидкую фазу позволяет улучшать целый ряд свойств выращенных таким образом эпитаксиальных слоев по сравнению со свойствами контрольного нелегированного материала.
Обнаружено, что при введении рения в раствор$-$расплав в малых количествах ($\sim 0.002$ мас %) происходит улучшение электрических и люминесцентных свойств материала: уменьшаются степень компенсации и концентрация электронов в слоях, возрастает подвижность электронов, отмечается увеличение интенсивности люминесценции.
Сравнительный анализ низкотемпературных спектров фотолюминесценции нелегированного и легированного материалов позволяет показать, что в результате легирования раствора$-$расплава рением происходит смена фоновой акцепторной примеси в материале (в GaAs : Re превалирует Si, в контрольных слоях — C). Спектр краевой полосы ФЛ легированного рением $n$-GaAs содержит линию, обусловленную экситонно-донорными комплексами, а также пик рекомбинации свободных экситонов, что характерно для чистого материала.
Изложен и обсужден возможный механизм воздействия рения на свойства материала