Влияние электрического поля на профиль концентрации радиационных дефектов в кремнии, облученном электронами с энергией вблизи порога дефектообразования

Исследованы особенности влияния электрического поля в области объемного заряда (ООЗ) на скорость введения $A$-центров (комплекс вакансия$-$кислород), в кремниевых $p/n$-диодах, облученных при комнатной температуре электронами с энергией вблизи порога дефектообразования. Профиль концентрации $A$-центров измерялся методом двойной изотермической релаксации емкости. Различие в профиле концентраций $A$-центров в ООЗ разных диодов, облученных в равных условиях и при близких значениях электрического поля, объясняется различием времен жизни и дрейфовой длины вакансий.