Инверсия двойного заряженного слоя при прямом смещении слабопрозрачного изотипного гетероперехода

Низкая прозрачность, т. е. малость коэффициента прохождения электронов через вершину гетеробарьера, ограничивает проводимость изотипного гетероперехода при прямых смещениях.
Следствием этого ограничения являются накопление электронов в первоначально обедненной стороне гетероперехода и обеднение электронами первоначально обогащенной стороны, т. е. инверсия заряда в двойном заряженном слое гетероперехода.
Ограниченный прозрачностью ток при больших смещениях возрастает с ростом напряжения по омическому закону, причем соответствующее сопротивление определяется величиной прозрачности. Примером гетероперехода с низкой прозрачностью является разнодолинный $\Gamma X$-переход.