Электрофизические свойства планарных $n^{+}{-}p$-переходов, созданных легированием арсенида индия ионами серы

Проведено сопоставление электрофизических свойств слоев проводимости n-типа, полученных имплантацией в арсенид индия ионов аргона и серы. Установлено, что при дозах $\Phi > 5 \cdot10^{14}$ см$^{-2}$ электрическая активность серы проявляется, начиная с температуры отжига $\sim300^{\circ}$С. Коэффициент использования серы при этом в интервале доз $5\cdot 10^{14}{-}10^{16}$ см$^{-2}$ меняется от 0.3 до 0.04. Легированием ионами серы изготовлены планарные $n^{+}{-}p$-переходы на InAs. Проведены исследования электрофизических свойств изготовленных $n^{+}{-}p$-переходов в зависимости от температуры. Показано, что прямой ток является суммой двух компонентов — диффузионного и рекомбинационного.
При нулевом смещении при 77 К величина дифференциального сопротивления ($R_{d}$), умноженная на площадь $n^{+}{-}p$-перехода, достигает $10^{9}$ Ом$\,\cdot$ см$^{2}$. Зависимость $R_{d}$ от температуры описывается в рамках генерационно-рекомбинационного механизма протекания тока.