RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 7, страницы 1259–1264 (Mi phts3928)

Бифуркации удвоения периода и хаос в модели температурно-электрической неустойчивости в полупроводнике с двумя уровнями прилипания

Л. Л. Голик, М. М. Гутман, В. Е. Паксеев


Аннотация: Проведено численное исследование модели температурно-электрической неустойчивости в полупроводнике с двумя уровнями прилипания. Получены сложные регулярные и непериодические решения и цепочка бифуркаций удвоения периода, приводящая к возникновению хаоса. Достигнуто хорошее качественное и количественное соответствие с результатами эксперимента.



© МИАН, 2024