Аннотация:
Проведено численное исследование модели
температурно-электрической неустойчивости в полупроводнике с двумя
уровнями прилипания. Получены сложные регулярные и
непериодические решения и цепочка бифуркаций удвоения
периода, приводящая к возникновению хаоса. Достигнуто
хорошее качественное и количественное соответствие с
результатами эксперимента.