Ю. В. Жиляев, В. В. Криволапчук, Н. Назаров, И. П. Никитина, Н. К. Полетаев, Д. В. Сергеев, В. В. Травников, Л. М. Федоров, “Низкотемпературная фотолюминесценция эпитаксиальных пленок фосфида галлия, выращенных на кремниевых подложках”, Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 7,страницы 1303

Низкотемпературная фотолюминесценция эпитаксиальных пленок фосфида галлия, выращенных на кремниевых подложках

Ю. В. Жиляев, В. В. Криволапчук, Н. Назаров, И. П. Никитина, Н. К. Полетаев, Д. В. Сергеев, В. В. Травников, Л. М. Федоров

Аннотация: Изложены результаты изучения спектров низкотемпературной (2 K) фотолюминесценции эпитаксиальных пленок фосфида галлия, выращенных на кремниевых подложках эпитаксией из газовой фазы в открытой хлоридной системе.
Спектры фотолюминесценции эпитаксиальных слоев GaP/Si имеют все характерные особенности (вплоть до линии экситона, связанного на доноре), присущие эпитаксиальным слоям GaP, выращенным на подложках GaP. Интенсивность полос фотолюминесценции полученных слоев GaP/Si сравнима с интенсивностью соответствующих полос в слоях GaP/GaP.