Анизотропия краевого оптического поглощения компенсированных кристаллов $n$-CdGeP$_{2}$

Исследованы оптические свойства специально не легированных компенсированных кристаллов $n$-CdGeP$_{2}$ в диапазоне температур 80$-$370 К. Длинноволновый хвост $\alpha(\hbar\omega)$ этих кристаллов имеет несколько экспоненциальных участков с пониженной относительно некомпенсированного полупроводника крутизной края поглощения, при этом значения ширины запрещенной зоны сохраняются: $E_{g}=1.73$ и 1.84 эВ при $T=300$ и 80 K соответственно. Обнаружено смещение максимума линейного дихроизма оптического пропускания (также как и фотоплеохроизма диодных структур) в сторону меньших энергий на 60$-$80 мэВ относительно $E_{g}$. Этот факт связывается с понижением анизотропии $A$-перехода за счет модуляции края валентной зоны флуктуациями потенциала донорных и акцепторных центров. При изменении температуры контур $\mathcal{P}_{T}(\hbar\omega)$ в целом следует за температурным ходом $E_{g}$ тройного полупроводника, а максимальная амплитуда дихроизма увеличивается от $-91$ до $-96$ % с ростом температуры от 80 до 300 K.