Инжекционно-стимулированная трансформация спектров люминесценции зеленых GaP : N-светодиодов

Комплекс методов (спектры электролюминесценции, спектры DLTS и фотолюминесценции, вольт-амперные, вольт-фарадные и ватт-амперные характеристики, ТИЭЗ) был использован для изучения преобразования дефектов в светоизлучающих GaP : N-диодах в процессе длительной инжекции в активный слой неравновесных носителей. Показано, что преобразование дефектов обусловлено диффузией атомов Zn из высоколегированной $p$-области под контактом к $p{-}n$-переходу, релаксацией напряжений в $p{-}n$-переходе, сопровождающейся рождением точечных дефектов и диффузией примесей с участием вакансий. Обсуждаются механизмы всех исследованных процессов, измерены параметры центров и анализируется их природа.