Понижение термической стабильности комплексов $V_{\text{As}}$Zn$_{\text{Ga}}$ в GaAs при нейтронном облучении

На основе тщательного анализа индуцированных нейтронным воздействием изменений в спектрах люминесценции $p$-GaAs(Zn) показано, что облучение кристаллов арсенида галлия быстрыми нейтронами приводит к сдвигу реакции термического разрушения комплексов $V_{\text{As}}$Zn$_{\text{Ga}}$ на изолированные компоненты $V_{\text{As}}$ и Zn$_{\text{Ga}}$ в сторону более низких температур прогрева. Наблюдаемый эффект объясняется понижением термической стабильности комплексов $V_{\text{As}}$Zn$_{\text{Ga}}$ вследствие уменьшения энергии связи компонентов комплекса из-за ассоциации последними подвижных радиационных дефектов.