Особенности излучательной рекомбинации полупроводниковых твердых растворов на основе (GaSb)$_{x}$(HgTe)$_{1-x}$, (AlSb)$_{x}$(HgTe)$_{1-x}$

Исследованы фотолюминесцентные свойства полупроводниковых твердых растворов четверных систем (GaSb)$_{x}$(HgTe)$_{1-x}$ ($0.75 \leqslant x \leqslant 1$), (AlSb)$_{x}$(HgTe)$_{1-x}$ ($0.80 \leqslant x \leqslant 1$) в области температур $2\div 77$ K и магнитных полей до 6 Т. Концентрация носителей исследуемых сплавов при 77 K изменялась в пределах $3\cdot 10^{16}\div 4\cdot 10^{18}$см$^{-3}$. Показано, что во всем температурном интервале при равных составах спектры фотолюминесценции как в магнитном поле, так и в отсутствие его имеют однополосную асимметричную структуру. Исследованы температурное смещение спектров, влияние магнитного поля и уровня накачки на излучательные переходы.
Вычислены параметры энергетического спектра сплавов (GaSb)$_{x}$(HgTe)$_{1-x}$, (AlSb)$_{x}$(HgTe)$_{1-x}$ и их зависимости от состава, температуры и магнитного поля. Приведенные исследования подтверждают перспективность новых полупроводниковых материалов (GaSb)$_{x}$(HgTe)$_{1-x}$ и (AlSb)$_{x}$(HgTe)$_{1-x}$.