Аннотация:
Созданы и исследованы узкозонные
\glqqразъединенные» гетеропереходы II типа
на основе твердых растворов GaSb$-$Ga$_{x}$In$_{1-x}$As$_{1-y}$Sb$_{y}$
($x=0.11$, $y=0.21$, $E_{g}=0.26$ эВ при 300 K), изопериодных
с подложкой GaSb. Изучены электрические и фотоэлектрические
свойства четырех типов гетероструктур: $N{-}n$, $P{-}p$, $p{-}n$ и $P{-}p$.
Обнаружено омическое поведение $P{-}n$-структуры GaSb$-$GaInAsSb
в интервале $T=300{-}4.2$ K и изучены выпрямляющие характеристики
$N{-}n$-, $N{-}p$- и $P{-}p$ -структур. Обсуждаются зонные энергетические
диаграммы таких структур. В квазиклассическом приближении
оценены параметры квантовых ям и двойного слоя, образующегося
в окрестностях $N{-}n^{+}$-контакта на гетерогранице II типа.
Рассмотрен механизм протекания туннельного тока в такой
структуре и проведен расчет вольт-амперных характеристик.
Получено согласие с экспериментальными данными.