Пространственное распределение носителей заряда в условиях контактной эксклюзии

Исследовано пространственное распределение носителей заряда в образцах Ge при $T =300$ K в условиях их контактной эксклюзии путем измерения поглощения свободными носителями излучения CO$_{2}$-лазера ($\rho= 10.6$ мкм) в спектральной области за краем собственного поглощения. В условиях, когда вблизи антизапорного контакта $p^{+}{-}p$-структуры вследствие выноса биполярной плазмы в омический контакт образуется область почти полного истощения, впервые обнаружена область скачкообразного возрастания концентрации носителей при переходе от истощенной области образца к его невозмущенной части.