Структура пиков $E4$ и $E5$ в $n$-GaAs

В облученном при комнатной температуре гамма-квантами и электронами $n$-GaAs впервые наблюдались радиационные центры $P2$ и $P3$ до проведения высокотемпературного отжига. Показано, что при энергии электронов более 1 МэВ основной вклад в спектр НЕСГУ в интервале температур свыше 250 K вносят центры $E4$ и $P3$, причем с увеличением энергии электронов их доля в суммарном спектре растет. Кроме того, скорости введения центров $E4$, $P3$ и, возможно, $P2$ зависят от температуры облучения. Это свойство, а также более эффективный рост скоростей введения центров $P2$, $P3$ и $E4$ по сравнению с $E5$ при увеличении энергии облучающих частиц указывают на то, что эти центры являются комплексными.