Отрицательная фотопроводимость на пороге возбуждения винтовой неустойчивости в плазме полупроводников

Экспериментально на образцах чистого $n$-Ge исследована фотопроводимость в условиях винтовой неустойчивости. Обнаружено, что при локальном фотовозбуждении сильнопоглощающимся излучением на пороге возбуждения осциллистора фотопроводимость становится отрицательной. Такое поведение фотопроводимости объясняется переходом электронно-дырочной плазмы в образце в состояние конвективной неустойчивости. Показано, что этот эффект имеет универсальный характер и не зависит от геометрии образца.