Аннотация:
Найдена зависимость скорости поверхностной
туннельной генерации носителей тока в узкозонных
полупроводниках от плотности поверхностного заряда,
напряжения и концентрации легирующей примеси.
Рассчитаны вольт-амперные характеристики локального
поверхностного туннельного тока в $p{-}n$-переходах.
Установлено, что при достаточно большом обратном
смещении $p{-}n$-перехода поверхностный туннельный ток
не зависит от напряжения смещения. Значения напряжения
и тока насыщения возрастают с увеличением плотности
поверхностного заряда. Развитая теория объясняет
результаты экспериментальных исследований поверхностной
туннельной генерации носителей и взрывных шумов $p{-}n$-переходов.