Межзонные оптические переходы в легированных многодолинных полупроводниках

Рассмотрены одно-, двух- и трехфотонные межзонные оптические переходы в легированных непрямозонных полупроводниках, обусловленные резонансным рассеянием на короткодействующей части примесного потенциала. Исследуются ситуации, когда примесный потенциал создает дискретное состояние в запрещенной зоне либо квазидискретное состояние в разрешенной зоне. Получены дисперсии вероятностей одно-, двух- и трехфотонных переходов вблизи порога фундаментального поглощения. Показано, что эти процессы значительно эффективнее процессов с рассеянием на дальнодействующей кулоновской части примесного потенциала.