RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 9, страницы 1550–1556 (Mi phts3990)

Скорость рекомбинации неравновесной электронно-дырочной плазмы в лазерных кристаллах CdS

Р. Балтрамеюнас, Э. Геразимас, А. Жукаускас, И. В. Крюкова, В. А. Теплицкий, С. Юршенас


Аннотация: С временны́м разрешением 30 пс изучена скорость рекомбинации электронно-дырочной плазмы (ЭДП) в сильно фотовозбужденных кристаллах CdS, выращенных из паровой фазы при различных значениях отношения парциальных давлений паров кадмия и серы. Сопоставление данных по измерению коэффициента усиления света с результатами анализа временной кинетики излучения, выполненного с учетом реальной температуры ЭДП, позволило заключить, что кристаллы с наилучшими лазерными характеристиками обладают наименьшей эффективностью ненасыщаемого бимолекулярного канала безызлучательной рекомбинации неравновесных носителей заряда.



© МИАН, 2024