RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 9, страницы 1557–1562 (Mi phts3991)

Генерация и отжиг дефектов при совмещенном генерировании в кремнии $n$-типа. I. Геттерирующие микродефекты

Н. Т. Баграев, Л. Е. Клячкин, А. М. Маляренко, И. С. Половцев, В. Л. Суханов


Аннотация: Методом оптической поляризации ядерных моментов (ОПЯ) исследовались процессы совмещенного геттерирования в условиях варьирования параметрами окисления, термообработки и диффузии легирующих примесей в кремнии $n$-типа. Были определены размеры и концентрация геттерирующнх микродефектов, ответственных за возникновение неоднородно распределенных мелких и глубоких точечных центров. Показано, что, управляя потоками первичных дефектов, генерируемых поверхностью окисленного кремния, можно значительно изменять характеристики геттерирующнх микродефектов и тем самым существенно повысить эффективность процессов совмещенного геттерирования.



© МИАН, 2024