Генерация и отжиг дефектов при совмещенном геттерировании в кремнии $n$-типа. II. Точечные дефекты, индуцированные геттерирующими микродефектами

Методом оптической поляризации ядерных моментов (ОПЯ) исследовались процессы генерации и отжига точечных дефектов, индуцированных геттерирующими микродефектами в кремнии $n$-типа. Были определены концентрации мелких и глубоких точечных дефектов, ответственных за электрофизические характеристики кристалла в зависимости от условий совмещенного геттерирования. Обнаружено, что глубокие точечные дефекты стимулируют резкое снижение времени жизни неравновесных носителей при образовании пар с мелкими донорами ($E_{c}-0.08$ эВ), индуцированными потенциалом деформации геттерирующих микродефектов. Управляя потоками первичных дефектов, генерируемых поверхностью кристалла на различных стадиях совмещенного генерирования, можно значительно уменьшить концентрации мелких и глубоких точечных дефектов, индуцированных геттерирующими микродефектами, при сохранении эффективности генерирования, что позволяет улучшить характеристики полупроводниковых приборов и делает возможным реализацию малошумящих мелких $p{-}n$-переходов.