Винтовая неустойчивость в варизонных полупроводниках

Впервые теоретически и экспериментально исследована винтовая неустойчивость (осциллистор) в варизонных полупроводниках. Рассчитаны критерии возбуждения и частота колебаний винтовых волн в зависимости от уровня легирования и градиента ширины запрещенной зоны. Изучено влияние магнитоконцентрационного эффекта на поведение осциллистора. Наряду с осцилляциями тока обнаружены колебания мощности положительной и отрицательной люминесценции, наблюдаемой со стороны широкозонной части полупроводниковой структуры Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te.