Параметры зонной структуры твердых растворов Si$_{x}$Ge$_{1-x}$

Фотоэлектрическими методами исследованы зависимости параметров зонной структуры Si$_{x}$Ge$_{1-x}$ от состава материала. Измерения проведены при температурах 10, 85 и 300 K в основном на образцах, полученных газофазной эпитаксией. Представлены зависимости для зазоров $\Gamma_{8v}^{+}{-}\Gamma_{7c}^{-}$, $\Gamma_{8v}^{+}{-}\Gamma_{8c}^{-}$, $\Gamma_{8v}^{+}{-}L_{6c}^{+}$ зазора $E_{1}$.