Теория ЭДС Дембера на горячих электронах

Теоретически изучается ЭДС Дембера, определяемая горячими электронами. Показано, что в образцах с проницаемым для фотовозбужденных электронов переходом полупроводник–металл величина ЭДС пропорциональна длине свободного пробега по импульсу электронов, не успевших потерять свою энергию после фотовозбуждения, в то время как в случае слабо проницаемой границы ЭДС пропорциональна длине остывания. Предсказывается зависимость ЭДС от поляризации света.