RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 1, страницы 176–178 (Mi phts40)

Краткие сообщения

Прыжковая проводимость в $p$-InSb при всестороннем сжатии

Д. И. Аладашвили, З. А. Адамия, К. Г. Лавдовский

Тбилисский государственный университет им. Ив. Джавахишвили

Поступила в редакцию: 17.07.1985
Принята в печать: 01.08.1985



© МИАН, 2024