RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 9, страницы 1618–1623 (Mi phts4002)

Релаксационные процессы в структурах металл$-$аморфный полупроводник$-$металл

В. И. Архипов, Д. В. Храмченков


Аннотация: В рамках модели формирования неравновесного активационного барьера в неупорядоченных материалах исследуется проводимость структуры металл$-$аморфный полупроводник$-$металл в условиях разомкнутой цепи и в случае цепи, замкнутой на заданное внешнее напряжение. Проанализирована динамика формирования и релаксации активационного барьера. Получены аналитические выражения, асимптотики и численные результаты для кинетики напряжения на образце (разомкнутая цепь) и кинетики нестационарного тока во внешней цепи (замкнутая цепь). Обсуждена возможность применения развитой модели для объяснения влияния контактов на результаты измерения дрейфовой подвижности носителей в аморфных полупроводниках.



© МИАН, 2024