Двухзарядный метастабильный центр, обусловленный дислокациями в CdS

Методами емкостной спектроскопии и фотопроводимости исследованы электронные состояния дефектов, обусловленных дислокациями в сульфиде кадмия. Обнаружено, что дефекты, сопровождающие как ростовые, так и введенные пластической деформацией дислокации в сульфиде кадмия, обладают метастабильными свойствами: в зависимости от условий начального заполнения уровней альтернативно проявляются два электронных состояния, различающихся по энергиям термической и оптической ионизации.