RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 9, страницы 1733–1736 (Mi phts401)

Краткие сообщения

Влияние анизотропии рассеяния на распределение дырок в Ge и Se в условиях стриминга

В. Я. Алешкин, В. А. Козлов, Ю. А. Романов




© МИАН, 2024