RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Физика и техника полупроводников
// Архив
Физика и техника полупроводников,
1986
, том 20,
выпуск 9,
страницы
1733–1736
(Mi phts401)
Краткие сообщения
Влияние анизотропии рассеяния на распределение дырок в Ge и Se в условиях стриминга
В. Я. Алешкин
,
В. А. Козлов
,
Ю. А. Романов
Полный текст:
PDF файл (508 kB)
©
МИАН
, 2024