RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 9, страницы 1668–1670 (Mi phts4010)

Краткие сообщения

Оценка роли электронно-дырочного рассеяния в переносе носителей заряда в многослойных арсенид-галлиевых структурах

Б. Н. Грессеров, Т. Т. Мнацаканов




© МИАН, 2024