RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Физика и техника полупроводников
// Архив
Физика и техника полупроводников,
1990
, том 24,
выпуск 9,
страницы
1668–1670
(Mi phts4010)
Краткие сообщения
Оценка роли электронно-дырочного рассеяния в переносе носителей заряда в многослойных арсенид-галлиевых структурах
Б. Н. Грессеров
,
Т. Т. Мнацаканов
Полный текст:
PDF файл (428 kB)
©
МИАН
, 2024