RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 9, страницы 1685–1689 (Mi phts4017)

Краткие сообщения

Некоторые свойства индуцированных кислородом рекомбинационных центров в термообработанном кремнии

К. Д. Глинчук, Н. М. Литовченко, В. Ю. Птицын




© МИАН, 2024