Природа спонтанной электролюминесценции в гетеросветодиодах на основе GaInAsSb для спектрального диапазона $1.8{-}2.4$ мкм

Изучены спектры электролюминесценции, внешний квантовый выход излучения и время жизни неравновесных носителей заряда высокоэффективных светодиодов ($\eta=1{-}6$ %) на основе твердых растворов GaInAsSb для спектрального диапазона 1.8$-$2.4 мкм в интервале температур $77\div 300$ K.
Показано, что в коротковолновых диодах ($\lambda < 2$ мкм) при температурах, близких к 77 K, квантовый выход излучения в основном определяется межзонной и примесной излучательной рекомбинацией на уровни природных акцепторов, в то время как при $T > 200$ K — конкуренцией излучательной межзонной и безызлучательной СНСС оже-рекомбинации.
В длинноволновых диодах ($\lambda> 2$ мкм) квантовый выход излучения во всем интервале температур определяется конкуренцией излучательной и безызлучательной СНСС оже-рекомбинации на квантовых состояниях гетерограницы II типа $n$-GaSb${-}n$-GaInAsSb.