Аннотация:
В зависимости от соотношений между характерными
частотами релаксации энергии проведена
классификация разновидностей разогрева носителей
в полупроводниковых субмикронных слоях,
поперечные размеры которых меньше длины релаксации
энергии на объемных акустических фононах. В рамках
квазиупругости рассеяния сформулированы модельные
граничные условия для симметричной части
функции распределения. Установлен критерий
применимости приближения электронной температуры и
получено для нее аналитическое выражение в предположении слабого разогрева.