Исследование эффекта ионно-пучкового отжига аморфизированных имплантацией приповерхностных слоев Si по спектрам КРС

Методом комбинационного рассеяния света обнаружен и исследован эффект ионно-пучкового отжига аморфизированных имплантацией слоев Si в процессе повторного облучения ионами H$^{+}$ и He$^{+}$. Проанализированы особенности спектров аморфной фазы. Показано, что наблюдаемый эффект носит радиационно-стимулированный характер и обусловлен процессами рекристаллизации на границах раздела аморфной и кристаллической фаз Si, причем ее эффективность существенно зависит от размеров микрокристаллитов.