Низкопороговые квантово-размерные AlGaAs-гетеролазеры для диапазона длин волн 730$-$850 нм, полученные методом низкотемпературной ЖФЭ

Приводятся результаты исследований гетеролазеров на основе AlGaAs-гетероструктур с длиной волны генерации 730$-$850 нм, варьируемой за счет изменения содержания AlAs в одиночной квантовой яме толщиной 150 Å. Структуры выращивались методом низкотемпературной ЖФЭ.
Минимальные полученные значения пороговой плотности тока $j_{\text{п}}$. составили 380 А/см$^{2}$ для $\lambda_{\text{г}}=760$ нм и 120 А/см$^{2}$ для $\lambda_{\text{г}}=845$ нм при длине резонатора $L=700$ мкм. В AlGaAs-гетеролазерах с длиной резонатора $L < 200$ мкм достигнуты рекордные значения пороговой плотности тока ($j_{\text{п}}=310$ А/см$^{2}$ при $L=130$ мкм, $\lambda_{\text{г}}=837$ нм, без запыления сколов), что обеспечило получение низких (до 2 мА) абсолютных пороговых токов в лазерах мезаполосковой геометрии.