Перенос электронов через нерезкий $\Gamma X$-гетеропереход

На примере гетероперехода GaAs/AlAs рассчитана электропроводность нерезких разнодолинных $\Gamma X$-гетеропереходов, обусловленная междолинным рассеянием электронов в переходной области и вблизи нее с испусканием или поглощением междолинных фононов, а также на флуктуациях состава сплава, образующегося в указанной переходной области с шириной $a$.
Показано, что прозрачность таких контактов для электронов определяется их транспортом через треугольный потенциальный барьер, эффективно образующийся в переходной области, и носит либо чисто туннельный (при низких температурах и малых $a$), либо термотуннельный (при промежуточных температурах и ширинах), либо термоэмиссионный (при высоких температурах и больших $a$) характер. Поэтому при низких температурах и больших ширинах $a$ электропроводность такого перехода экспоненциально мала и он является эффективным $\Gamma X$-изолятором.
С уменьшением ширины $a$ зависимость прозрачности от $a$ имеет немонотонный вид.
Наряду с аналитической теорией в работе приведены результаты численных расчетов.