RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 10, страницы 1785–1789 (Mi phts4035)

Образование позитронно-чувствительных дефектов в процессе термообработки кремния в хлорсодержащей атмосфере

Н. Ю. Арутюнов, Н. А. Соболев, В. Ю. Тращаков, Е. И. Шек


Аннотация: Проведены измерения угловых распределений аннигиляционных фотонов (УРАФ) для кристаллографических направлений $\langle$111$\rangle$, $\langle$110$\rangle$ и $\langle$100$\rangle$ бездислокационного бестигельного кремния, подвергнутого термообработке при 1050 и 1250$^{\circ}$С в хлорсодержащей атмосфере (ХСА). Обнаружено образование позитронно-чувствительных дефектов. На основе полученных результатов выдвинута гипотеза об образовании дефектов вакансионного типа, в состав которых могут входить атомы кислорода. Полученные данные измерений УРАФ, по-видимому, можно рассматривать как \glqqпрямое» подтверждение существования обогащенной вакансиями приповерхностной области кремния, образующейся в процессе его термообработки в ХСА.



© МИАН, 2024