В. М. Сирацкий, В. И. Шаховцов, В. Л. Шиндич, Л. И. Шпинар, И. И. Ясковец, “Электронные свойства бистабильных дефектов”, Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 10,страницы 1795

Электронные свойства бистабильных дефектов

В. М. Сирацкий, В. И. Шаховцов, В. Л. Шиндич, Л. И. Шпинар, И. И. Ясковец

Аннотация: Анализируется влияние бистабильных дефектов (БД) на статистические и рекомбинационные свойства носителей тока в полупроводниках.
Показана необходимость учета обеих конфигураций БД для корректного описания температурных зависимостей концентрации носителей тока и времени жизни неосновных носителей тока.