Комбинационное рассеяние света фотоиндуцированной плазмой в двойных гетероструктурах

Исследовано комбинационное рассеяние света плазмон-фононной (ПФ) модой фотоиндуцированной электрон-дырочной плазмы в двойных гетероструктурах GaAs/Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As и Ga$_{1-x}$In$_{x}$As$_{1-y}$P$_{y}$/Ga$_{0.5}$In$_{0.5}$P, полученных различными методами. Измерялись частота и уширение ПФ пика в зависимости от интенсивности накачки. По спектрам люминесценция определялась температура носителей. Проведен расчет спектров КРС от двухкомпонентной плазмы при разных концентрациях и температурах носителей. Результаты расчета для некоторых структур хорошо согласуются с экспериментальными, что позволяет определять концентрацию фотоиндуцированных носителей. Однако в ряде случаев экспериментальные данные существенно отличаются от расчетных: увеличение накачки не приводит к изменению частоты ПФ пика, вызывая только его уширение. Высказано предположение, подкрепленное модельным расчетом, что такое аномальное поведение может быть связано с неоднородностью плазмы по концентрации.