Влияние деструктивного одноосного сжатия на шум $1/f$ в GaAs

Исследовано влияние деструктивного одноосного сжатия на шум $1/f$ в чистых структурно совершенных эпитаксиальных пленках GaAs. По мере нарастания деструкции сопротивление образцов монотонно увеличивается. При увеличении сопротивления в $\sim1.5$ раза ($R/R_{0} \sim 1.5$) уровень шума типа $1/f$ в области частот $\sim 10\div 100$ Гц увеличивается на порядок, при $R/R_{0} \gtrsim 2\div 2.5$ — на 2 порядка. Величина подвижности, измеренная методом геометрического магнитосопротивления при этих уровнях деструкции, остается неизменной при 300 К и даже несколько увеличивается (за счет ослабления влияния контактного сопротивления) при 77 К.
Природа шума $1/f$ в подвергнувшихся деструкции образцах остается той же, что и в исходных, и описывается моделью, в которой шум $1/f$ возникает вследствие флуктуации заселенности хвоста плотности состояний вблизи края запрещенной зоны.
По мере нарастания уровня деструкции фоточувствительность GaAs монотонно возрастает. Положение максимума на зависимости $\Delta\sigma(\lambda)$ ($\Delta\sigma$ — изменение проводимости, $\lambda$ — длина волны света) не меняется. Уровень фоточувствительности сильно возрастает с понижением температуры, что свидетельствует о появлении под воздействием деструкции выраженного потенциального рельефа.