Коротковолновая фоточувствительность поверхностно-барьерных структур GaAs

Представлены результаты экспериментальной проверки теории баллистического и квазибаллистического транспорта горячих фотоэлектронов из полупроводника в металл в поверхностно-барьерных структурах на примере Au$-$GaAs. Спектры фоточувствительности этих структур с разной концентрацией легирования полупроводника хорошо совпадают с теоретическими расчетами, выполненными в рамках модели баллистического и квазибаллистического транспорта.
На основе проведенных исследований был предложен путь увеличения квантовой эффективности в коротковолновой области спектра. Он заключается в дополнительном легировании полупроводника глубокими центрами.