Полоса фотолюминесценции 1.44 эВ в GaAs, имплантированном азотом и кремнием

Исследована низкотемпературная фотолюминесценция арсенида галлия, совместно имплантированного кремнием и азотом. Обнаружено, что имплантация азота стимулирует образование структурно чувствительного дефекта (возможно, GaAs), дающего полосу фотолюминесценции вблизи 1.44 эВ. Высказано предположение, что образование этого дефекта и уменьшение эффективности активации имплантированного кремния связаны с отклонением от стехиометрии в сторону недостатка элемента V группы из-за ухода атомов азота из узлов мышьяка при высокотемпературном отжиге.