О механизме воздействия изовалентной примеси In на свойства и ансамбль дефектов GaAs, выращиваемого методом молекулярно-лучевой эпитаксии

С помощью низкотемпературной фотолюминесценции исследовано влияние изовалентного легирования арсенида галлия индием в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии на концентрацию донорных и акцепторных фоновых примесей, а также дефектов решетки. Предложен механизм, объясняющий обнаруженную в данной работе значительную часть известных из литературы изменений концентраций дефектов и примесей при изовалентном легировании GaAs индием в процессе МЛЭ. Этот механизм заключается в изменении отклонения от стехиометрии в кристалле в пользу атомов мышьяка при неизменном соотношении [III ]/[ V] на поверхности роста вследствие особенностей встраивания атомов индия в кристалл.