Анизотропия угловых распределений гамма-квантов, обусловленная аннигиляцией позитронов с электронами ионных остовов алмазоподобных полупроводников

Экспериментально и теоретически исследован широкий компонент угловых распределений аннигиляционного излучения в монокристаллах германия и арсенида галлия, а также в моно- и поликристаллическом кремнии. Предложена модель процесса аннигиляции позитронов с электронами ионных остовов и проведены расчеты кривых углового распределения аннигиляционных гамма-квантов для кристаллографических направлений [111], [110] и [100] решетки типа алмаза. Расчетные и экспериментальные результаты хорошо согласуются между собой. Сделано заключение, что анизотропия широкого компонента угловых распределений аннигиляционных гамма-квантов обусловлена процессом аннигиляции термализованных позитронов в зонах, образуемых электронными состояниями внешних оболочек ионных остовов в кристаллических решетках алмазоподобных полупроводников.