RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 11, страницы 1923–1928 (Mi phts4063)

О влиянии туннельной рекомбинации на квантовый выход фотогенерации носителей в неупорядоченных материалах

В. И. Архипов, В. Р. Никитенко


Аннотация: Рассматривается задача о квантовом выходе фотогенерации, определяемом вероятностью разделения близнецовой пары, с учетом дрейфа «близнецов» в собственном кулоновском поле, диффузии, захвата на локализованные состояния и туннельной рекомбинации близнецов. Получено уравнение для квантового выхода фотогенерации и найдено его решение в отсутствие внешнего электрического поля. Исследовано влияние различных механизмов туннельной рекомбинации на температурную зависимость квантового выхода в отсутствие внешнего электрического поля.



© МИАН, 2024