Диффузионное легирование пленок $a$-Si : H примесями Sn, Ag, Fe и его влияние на электрические свойства

На основе изучения в интервале температур $290{-}525^{\circ}$C диффузии и растворимости примесей олова, железа и серебра в пленках аморфного гидрогенизпрованного кремния ($a$-Si : H) определен режим диффузионного легирования, получены диффузионно легированные этими металлами пленки $a$-Si : H и исследована их темновая и фотопроводимость. Диффузионное легирование металлами приводит к появлению больших энергий активации электропроводности (до 1.4 эВ, т. е. ${E^{\sigma}_{A}>E^{h\nu}_{g}/2}$). не типичных для собственного материала. Циклический нагрев легированных пленок в интервале температур $20{-}200^{\circ}$C приводит к постепенному возврату их электрических свойств к свойствам исходного $a$-Si : H, что подобно явлению распада пересыщенного твердого раствора в кристаллах.