Электронная структура примеси на дислокации

Предложена количественная теория электронной структуры примесей V группы на дислокациях в ковалентных полупроводниках. Показано, что обычное предположение о положении примеси непосредственно на оси дислокации не подтверждается опытами по ЭПР. Рассмотрена новая модель, в которой примесный атом предполагается расположенным не на самой оси, а вблизи нее на расстоянии порядка постоянной решетки. В рамках такой модели рассчитаны донорные, акцепторные и резонансные состояния. Положение резонансного уровня хорошо согласуется с результатами DLTS-экспериментов для атомов фосфора на дислокации в кремнии.