Аннотация:
На основе анализа большого количества экспериментальных
данных предложена модель легирования халькогенидных
стеклообразных полупроводников. Появление электрически активных центров
связывается в модели с возникновением при легировании жестких
микрообластей, структура которых препятствует насыщению всех валентных
связей примесного атома, попавшего в микрообласть.
Полный текст:
PDF файл (879 kB)