Отжиг радиационных дефектов с глубокими уровнями в $n$-InP

Методом емкостной спектроскопии (НЕСГУ) исследован отжиг радиационных дефектов с глубокими уровнями в верхней половине запрещенной зоны $n$-InP (${T_{\text{отж}}\leqslant315^{\circ}}$C). Показано, что основные стадии восстановления концентрации электронов (120 и $210{-}250^{\circ}$C) коррелируют с отжигом центра E2 (0.2 эВ) и конфигурационно-бистабильного $M$-центра соответственно. Установлено, что кинетика отжига E2 близка к экспоненциальной, а скорость реакции зависит от зарядового состояния центра. Отжиг $M$-центра не описывается простой экспоненциальной зависимостью. Сделано заключение, что характер отжига $M$-центра определяется эффективностью его взаимодействия с присутствующими в образцах термодинамически неравновесными технологическими дефектами.