Исследования планарных фотосопротивлений на основе InGaAs/InP со скрытым $p^{+}$-затвором

Приведены результаты исследования планарных фотосопротивлений (ПФС) на основе InGaAs/InP (спектральный диапазон 1.0$-$1.6 мкм). Для выяснения механизмов усиления фототока изучены зависимости коэффициента усиления $G$ от интенсивности падающего света и температуры как ПФС традиционной конструкции, так и ПФС со скрытым затвором в канале — $p^{+}$-областью, расположенной напротив освещаемой поверхности. Показано, что аномально большие значения $G$, существенно превышающие отношение подвижностей электронов и дырок, и сильная зависимость $G$ от интенсивности падающего света обусловлены влиянием поверхности, приводящим к пространственному разделению электронов и дырок. Установлено, что поперечное электрическое поле затвора приводит к уменьшению поверхностного изгиба зон, благодаря чему $G$ уменьшается, приближаясь к значению, близкому к $\mu_{n}/\mu_{p}$.